三星3nm工厂准备动工,或将首发GAA工艺

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三星3nm工厂准备动工,或将首发GAA工艺,根据韩国媒体报道,三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂,目前预计可能会在6月份还7月份动工,三星3nm工厂准备动工,或将首发GAA工艺。

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三星的晶圆代工部门最近负面不断,此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率,以致于高通这样的VIP客户都要出走,重新使用台积电生产骁龙8处理器。

不过从技术上来说,三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂,虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些,但在接下来的3nm节点三星更激进,要全球首发GAA晶体管工艺,放弃FinFET晶体管技术,而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星3nm工厂准备动工,或将首发GAA工艺

三星之前表示,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

三星3nm工厂准备动工,或将首发GAA工艺 第2张

当然,这些还是纸面上的,三星的3nm工艺挑战也不少,光是量产就是个问题,之前三星宣传2021年就量产,实际上并没有,最快也是今年,而且首发的是3GAE低功耗工艺,高性能的3GAP工艺至少要2023年了。

据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了,6、7月份动工,并及时导入设备。

按照这个进度,今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产,大规模量产也要到明年了,跟台积电的3nm工艺差不多,两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。

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芯片的发展越来越迅速,先进制程芯片量产的速度也是越来越快,从28纳米,就这么几年的时间,如今已经成功挺进到4纳米。这意味着什么?意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了。

当然,如今全球企业在芯片先进制程上依旧还在不断努力中,三星,这个国际性的全能企业,在3纳米芯片方面也传来了新进展,据说三星准备在3纳米方面采用新工艺。那么,这次三星是否真能实现3纳米的量产吗?毕竟三星叫嚷3纳米也已经有很多年了,但是连影子都没见到。

三星如今研发出这样一个更加先进的3纳米制程工艺,那么究竟有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢?

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三星3纳米传来新进展

根据韩国媒体报道,三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂,目前预计可能会在6月份还7月份动工,并且还准备一并将相应的设备落实到位。在3纳米芯片的`制程工艺上,三星大有破釜沉舟的样子。

我国的台积电也确实有向3纳米芯片进军,但是,目前台积电使用的可是比较传统的FinFET工艺。而三星偏不,三星这次准备用什么呢?准备使用新工艺,准备成为第一个吃螃蟹的人。这个新工艺就是GAA晶体管工艺。

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这种新工艺主要就是利用新型的环绕栅极晶体管,通过相关纳米片设备和相关技术进行相关的堆叠,形成多桥通道场效应管。

当然,三星会有这样的举动也并不奇怪,毕竟就按照理论上来说,使用这种全新的GAA晶体管工艺生产出来的芯片也确实会比传统用FinFET工艺,在整体性能上会有很大的增强,具体来说。

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使用GAA新工艺生产出来的芯片,功耗据说大约能降低50%,性能可以提高35%,至少还是从理论上来说,因为目前还没有人试过,三星用这种新工艺生产的芯片,确实会优于台积电的传统功能工艺。

但是,三星的3纳米新工艺芯片要想实现超越台积电传统工艺的3纳米芯片,那么,首先就要一个大变数。那就是三星在3纳米芯片方面已经喊了几年了,但是目前也仅仅看见三星动动嘴皮子,这次三星传出准备采用新工艺,准备建厂。

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三星在3纳米芯片量产方面再次传来新消息,再次出现了新进展,准备建设一座使用新工艺,新技术的3纳米芯片工厂,未来,三星的3纳米芯片究竟能否成功落地,三星究竟能否成功兑现自己的承诺。

三星这个全新工艺制成的3纳米芯片,究竟能否如愿超越台积电相对应的3纳米芯片,虽然不看好,但还是拭目以待,看看三星这次会不会又是新一轮的嘴炮。

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这两年的三星5nm,4nm工艺性能不行已经是事实了,高通自己也是绷不住准备将8Gen1转向台积电4nm工艺,不过三星下一代3nm工艺还是值得期待的,而且会全球首发GAA晶体管工艺取代FinFET工艺,会比台积电3nm更先进一些。

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根据三星官方介绍,3nm GAA技术相比7nm工艺功耗能降低约50%,性能提高35%,不过这也是纸上谈兵,最终是骡子是马还得拉出来溜溜,而性能更强的3GAP可能要到2023年才能看到。

在今年,台积电4nm工艺相比三星4nm还是有着绝对优势,但是根据台积电官方介绍来看,台积电3nm的提升幅度并不会太大,而且依然采用FinFET技术,根据目前消息,明年苹果的A16芯片可能会因为产能依然选择台积电N4P工艺。

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所以在目前的时间节点,三星4nm工艺的8Gen1机型推荐指数还是不高,都等到现在了,可以期待一下天玑9000/8100/8000这些机型的表现,此外明年的芯片功耗可能会有一个明显改善。

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