台积电3NM或又要跳票
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台积电3NM或又要跳票,据外媒digitimes最新报道,半导体设备厂商透露,台积电3纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正3纳米蓝图。台积电3NM或又要跳票。
台积电3NM或又要跳票1
此前报道指,台积电(TSMC)将在2022年下半年量产N3制程节点,并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺,将拥有更好的性能和功耗表现,量产时间为2023年下半年。此外,还可能推出成本和设计有所差异的N3B等方案。在去年末,台积电已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产。
据DigiTimes报道,台积电的N3制程节点方案未能顺利推进,已不断进行修正,但良品率等整体效能的提升进度仍低于预期,甚至在某些部分出现困难,需要重新安排,导致苹果等多家客户近期下单均以N5制程节点及其衍生的工艺为主,扩大了N4、N4P和N4X等工艺的使用。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算(HPC)芯片而设计,在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻(EUV)技术,光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺,性能可提高10%-15%,或者降低25%-30%的功耗。
台积电总裁魏哲家曾表示,N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候,将成为业界最先进的PPA和晶体管技术,N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的.制程节点。早有传闻指,英特尔和苹果已率先获得台积电N3制程节点的产能。前者计划将该工艺使用在2023年发布的Meteor Lake上,制造GPU模块;后者则首先用在2023年新款iPad搭载的芯片上,目前在时间上也非常勉强。
台积电的3nm计划推进缓慢,甚至催生备用方案,本是三星追赶的好时机。不过三星在7nm及以下工艺上的研发也一直不顺利,使得5nm客户寥寥无几,近期4nm工艺因效能问题也备受争议。虽然三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,并计划在2022年上半年量产第一代3nm工艺,不过外界并不看好。毕竟台积电在N3制程节点只是沿用FinFET晶体管,目前也遭遇了不小的困难,三星想越级使用,只会难上加难。尽管三星报价优惠,估计厂商普遍也不敢冒险使用。三星已在3nm计划里投下巨资,如果不达预期,或许难以收回成本导致项目亏损。
台积电3NM或又要跳票2
近日,关于台积电3nm工艺制程有了新消息,据外媒digitimes最新报道,半导体设备厂商透露,台积电3纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正3纳米蓝图。
实际上,随着晶体管数量的堆积,内部结构的复杂化,3nm工艺制程的良品率确实很难快速提升,达成比较好的量产水平。
因此,台积电或将规划包括N3、N3E与N3B等多个不同良率和制程工艺的技术,以满足不同厂商的性能需求,正如同去年苹果在A15上进行不同芯片性能割一致,即能满足量产需求,还能平摊制造成本,保持利润。
此外,还有消息称台积电将在2023年第一季度开始向苹果和英特尔等客户运送3纳米芯片,第一批采用3nm芯片的苹果设备预计会在2023年首次亮相。
至于3nm到底何时才能正式亮相,我们还将持续观察。
台积电3NM或又要跳票3
近日,台积电总裁魏哲家在月前的法说会上透露,3NM支撑进展符合预期,将于今年下半年量产。不过,根据DigiTimes最新消息,半导体设备厂商称,台积电3NM良率爬坡遇到较大的阻力,为此还多次修正3NM蓝图。
该半导体设备厂商还补充道,台积电已经将3NM工艺划分出N3、N3E与N3B等多个版本,以符合不同客户的需求。目前来看,苹果、英特尔等大厂已经预定了大部分的3NM产能,现在台积电良率爬坡遇阻,不知道我们有没有机会如期看到各家大厂的最新产品。
相比于5NM,3NM制程的晶体管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%,采用该制程的芯片无论是功耗还是性能表现,都会比5NM芯片有不小的提升,尤其是智能手机,内部空间有限,散热效果不能跟平板、PC等产品相比,所以对芯片制程的要求也就更高。
近两年,台积电的制程工艺总会优于三星,尤其是竞争异常激烈的7NM、5NM节点,前者生产的芯片基本都没有出现过翻车的迹象,而基于三星的5NM制程打造的骁龙、猎户座芯片,体验似乎都不太理想。
在3NM这个节点,三星用上了GAAFET环绕栅极场效应晶体管技术,理论上晶体管密度更高、功耗更低,而台积电的3NM很可能还是FinFET立体晶体管技术,也就是说,后者3NM良率爬坡受阻,三星有望获得更多反超的机会。
台积电多次修改蓝图,说明3NM的工艺难度确实比5NM要高不少,如果大规模量产延迟,苹果、英特尔等厂商可能都会成为最大的输家,毕竟台积电几乎是它们唯一的代工厂,新工艺推迟就意味着很多产品的发布会慢于对手。此外,3NM工艺的最终效果也成为了最关注的一个方面。
当然了,台积电总裁自信满满称3NM进度符合预期,可能说明良率爬坡只是“小插曲”,采用该工艺打造的新品还是能够如期而至,相信明年我们还是能看到新芯片准时发布。
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